位错芯
概述
位错芯是研究晶格常数不匹配的异质结SiGe/Si生长过程中低温缓冲层内缺陷对位错运动的影响，使用位错偶极子模型在Si晶体内建立了一对30°部分位错，和导致30°部分位错运动的弯结结构，以及位错芯重构缺陷（RD）与弯结组合而生成的弯结－RD结构。
2 扩展释义
位错芯是研究晶格常数不匹配的异质结SiGe/Si生长过程中低温缓冲层内缺陷对位错运动的影响，使用位错偶极子模型在Si晶体内建立了一对30°部分位错，和导致30°部分位错运动的弯结结构，以及位错芯重构缺陷（RD）与弯结组合而生成的弯结－RD结构。
9 词语组词
相关词条
本词条最后更新于 2026-07-12 15:12:56