漏极
概述
漏极，栅极（Gate——G，也叫做门极），源极(Source——S)， 漏极（Drain——D）场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。
2 扩展释义
漏极，栅极（Gate——G，也叫做门极），源极(Source——S)， 漏极（Drain——D）场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。
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本词条最后更新于 2026-07-16 07:50:31
漏极，栅极（Gate——G，也叫做门极），源极(Source——S)， 漏极（Drain——D）场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。
漏极，栅极（Gate——G，也叫做门极），源极(Source——S)， 漏极（Drain——D）场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。
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