伦敦穿透深度
概述
在超导体中,伦敦穿透深度是指磁场穿进超导体中,并减弱为超导体表面处强度之1/e时的深度。 伦敦穿透深度一般为50至500纳米。
2 扩展释义
在超导体中,伦敦穿透深度是指磁场穿进超导体中,并减弱为超导体表面处强度之1/e时的深度。 伦敦穿透深度一般为50至500纳米。
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本词条最后更新于 2026-07-10 17:03:16
在超导体中,伦敦穿透深度是指磁场穿进超导体中,并减弱为超导体表面处强度之1/e时的深度。 伦敦穿透深度一般为50至500纳米。
在超导体中,伦敦穿透深度是指磁场穿进超导体中,并减弱为超导体表面处强度之1/e时的深度。 伦敦穿透深度一般为50至500纳米。
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