热探针法

概述

热探针法可以用作硅片N型或者P型的检测。探针工作的基本原理如图1所示。两个探针与编码形成欧姆接触,如热探针比冷探针高25-100℃。电压表跨接在两个探针之间测量电势差,极性的指示可判断材料是N或者P型。

2 扩展释义

热探针法可以用作硅片N型或者P型的检测。探针工作的基本原理如图1所示。两个探针与编码形成欧姆接触,如热探针比冷探针高25-100℃。电压表跨接在两个探针之间测量电势差,极性的指示可判断材料是N或者P型。

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本词条最后更新于 2026-07-13 21:36:13