悬浮区熔硅
概述
中文名称 悬浮区熔硅 英文名称 floating-zone grown silicon 定 义 采用悬浮区熔法生长的具有一定尺寸和晶面的高纯度硅单晶。 应用学科 材料科学技术（一级学科），半导体材料（二级学科），元素半导体材料（三级学科）
2 扩展释义
中文名称 悬浮区熔硅 英文名称 floating-zone grown silicon 定 义 采用悬浮区熔法生长的具有一定尺寸和晶面的高纯度硅单晶。 应用学科 材料科学技术（一级学科），半导体材料（二级学科），元素半导体材料（三级学科）
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本词条最后更新于 2026-07-13 11:29:25
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